
FEATURES
- 고주파 생성으로 인한 교류 저항 측정이 용이하여 다양한 물질의 저항 측정
EIS 분석 주파수 범위 10 μHz to 7 MHz
- 플로팅 모드 및 아날로그 필터링 및 Calibration board 내장
- 외부 부스터 연결로 120A 인가 및 측정
- Ultra Low Current 옵션 사용 시 ± 1 pA 의 초 저전류 사용 가능
- 채널 당 2,3,4,5 단자 측정 가능하며 Reference 대비 working 또는 counter
측정 가능
- 데이터 측정 시스템에 오류가 발생하여도 버퍼는 측정 데이터 유지
- 2개의 보조 입력 단자로 RDE, EQCM과 같은 외부 장치를 소프트웨어 내에서
제어 가능
- 실험 중 소프트웨어 내의 대부분 측정 파라미터 수정 가능
- EIS 피팅 패키지가 측정 소프트웨어 내에 포함
APPLICATIONS
• General electrochemistry
• Sensors
• Corrosion
• Coatings
• Materials
• Batteries
CHANNEL SPECIFICATIONS
SP-200 | |
EIS capability | 10 μHz to 7 MHz |
EIS Quality indicators | Yes |
Analog Ramp Generator | Yes |
Floating option | Yes |
Permeation (WE to Ground) | Yes |
Multi-electrode (CE to Grount) | Yes |
Filters | Hardware / software |
Acquisition time | 12 μs (1 µs with ARG option) |
Electrodes connections | 2, 3, 4, 5 |
IR compensation | manual, EIS, current interrupt (software and hardware) |
CHANNEL SPECIFICATIONS - Current
Maximum current | ±500 mA | |
Current ranges | with STD board | 9: 10 nA to 1 A |
with low current option | 13: 1 pA to 1 A | |
Lowest accuracy | with STD board | ±100 pA on 10 nA range |
with low current option | ±100 fA on 1 pA range | |
Lowest resolution | with STD board | 0.8 pA on 10 nA range |
with low current option | 80 aA on 1 pA range | |
Current booster | not available | |
Input impedance | 1 TΩ(//10 pF) |
CHANNEL SPECIFICATIONS - Voltage
Compliance | ±12 V |
Max applied potential | ± 10 V |
Resolution | 1 µV on 60 mV |
Accuracy | < ±1 mV |
Range | ±2.5 V, ±5 V, ±10 V, ±25 mV, ±250 mV |
Maximum scan rate | 200 V/s (1 MV/s with ARG option) |
Others
Slots available | 1 |
Dimension | 167 x 410 x 225 mm |
Weight | 7.2 kg |
Power Requirement | 350 W |